中村修二（日文名：なかむら しゅうじ，外文名：Shuji Nakamura），1954年5月22日出生于日本爱媛县，毕业于日本德岛大学，获工学博士学位，日裔美籍材料学家，“蓝光LED”之父，诺贝尔物理学奖得主、美国国家工程院院士、美国国家发明家科学院院士、美国国家发明家名人堂成员、英国皇家工程院院士，加利福尼亚大学圣巴巴拉分校教授。
1979年，中村修二进入日亚化学工业株式会社，任研发人员，其后于1985年开始担任日亚化学工业株式会社研发第一部组长。1988年4月，中村修二前往佛罗里达大学担任客座研究员，期限为一年。1989年，中村修二回到NICHIA，任研发第二部组长。同年，中村修二开始研究基于Ⅲ族氮化物的蓝光LED技术。1993年，中村修二开始担任日亚化学工业株式会社研发部高级研究员。1999年，中村修二担任加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校材料系教授。2001年，中村修二被任命为加利福尼亚大学圣巴巴拉分校固态照明和显示中心Cree讲席教授。2003年，中村修二当选美国国家工程院院士。2013年，中村修二与史蒂文·登巴尔斯教授、詹姆斯·拉林博士及保罗·鲁迪博士共同创立SLD激光公司。
中村修二的研究领域是电子和光子材料。截至2025年10月，中村修二发表了550多篇论文，拥有200多项美国专利和175多项日本专利，著有《我生命里的光》等著作。2002年，中村修二获得富兰克林研究所2002年度本杰明·富兰克林工程奖章。2008年，中村修二获得2008年日本应用物理学会杰出论文奖。2009年，中村修二获得哈维奖。2014年10月7日，中村修二因在蓝色发光二极管（LED）方面的发现，获得2014年诺贝尔物理学奖。2020年，中村修二获得美国国家科学院科学工业应用奖。2021年，中村修二获得伊丽莎白女王工程奖。
人物经历
早年经历
中村修二，1954年5月22日出生于日本爱媛县，曾先后就读于爱媛县小学、尼崎市立桩濑小学和爱媛县立大洲高等学校。他于1977年获得日本德岛大学电子工程学士后，留校继续攻读硕士学位，导师是电子工程系的助理教授多田修。
工作经历
1979年，中村修二进入NICHIA，任研发人员。他领到的第一项研发任务是制造可用于红色发光二极管的半导体化合物GaP（磷化镓）。从1982年起，根据公司营业部门的市场调研信息，中村修二开始着手和GaAs（砷化镓）结晶生长相关的课题。
1985年，中村修二开始担任日亚化学工业株式会社研发第一部组长。1988年4月，在日本德岛大学校友酒井士郎的建议下，中村修二获得了以公司派遣的方式前往佛罗里达大学担任客座研究员的机会，期限为一年。1989年，中村修二回到NICHIA，任研发第二部组长。同年，中村修二开始研究基于Ⅲ族氮化物的蓝光LED技术。
1993年，中村修二开始担任日亚化学工业株式会社研发部高级研究员。1994年，中村修二获得日本德岛大学工学博士学位。1999年，中村修二担任加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校材料系教授。
2001年，中村修二被任命为加利福尼亚大学圣巴巴拉分校固态照明和显示中心Cree讲席教授。2002年，中村修二获得富兰克林研究所2002年度本杰明·富兰克林工程奖章。2003年，中村修二当选美国国家工程院院士。
2008年，中村修二获得2008年日本应用物理学会杰出论文奖。2009年，中村修二获得哈维奖。2013年，中村修二与史蒂文·登巴尔斯教授、詹姆斯·拉林博士及保罗·鲁迪博士共同创立SLD激光公司（后于2021年初被京瓷安尼普株式会社收购），致力于蓝色激光器和激光照明产品。
2014年10月7日，中村修二和赤崎勇、天野浩因在蓝色发光二极管（LED）方面的发现，获得2014年诺贝尔物理学奖。2020年，中村修二获得美国国家科学院（NAS）科学工业应用奖。2021年，中村修二获得伊丽莎白女王工程奖。
科学研究
研究领域
中村修二的研究领域是电子和光子材料。
研究成果
1990年，中村修二成功研制了新型GaN生长金属有机化学气相沉积系统（命名为"双流MOCVD"），凭借该系统实现了当时最高晶体质量的GaN基材料生长。
1991年，中村修二通过热退火技术首次实现p型GaN薄膜制备，并率先揭示了氢钝化作为空穴补偿机制的原理——该机制自20世纪60年代GaN研究起步以来，长期阻碍着p型GaN薄膜的制备。
1992年，中村修二成功研制出首批InGaN单晶层，在室温下首次观察到光致发光与电致发光的带间辐射现象。这些InGaN层后来被广泛应用于所有蓝/绿/白光LED和紫/蓝/绿光半导体激光器的发光层，若没有这一突破性发明，上述光电器件将无法实现。
1993年与1995年，中村修二先后研发出首例Ⅲ族氮化物基高亮度蓝/绿光LED，并于1995年成功研制首枚Ⅲ族氮化物基紫光激光二极管。1996年，其前雇主日亚化学开始利用其蓝光LED技术销售白光LED产品，这些LED已被广泛应用于各类节能照明领域，其耗电量仅为传统白炽灯的十分之一。1999年，日亚化学开始销售用于蓝光DVD的紫光激光二极管，该技术的实现完全得益于中村修二的发明。
在圣塔芭芭拉分校任职期间，中村修二团队于2007年率先实现非极性氮化镓激光二极管技术突破。
论文
截至2025年10月，中村修二发表了550多篇论文。
专利
截至2025年10月，中村修二拥有200多项美国专利和175多项日本专利。
专著
人才培养
2015年7月28日，中村修二到访西安交通大学，受聘为名誉教授。中村修二给从事科学研究的西安交大学子提出建议和忠告。他认为，研究者对科研的热爱与兴趣是从事科研工作的试金石。因为在科研过程中，总会有一些随时出现的新难题、新问题，让人措手不及，甚至痛苦不已；只要喜欢思考，对科研工作有无限热情，就一定能坚持下来。他说大学生们在科研过程中一时半会没有成果是很正常的事情，他也有过这样蛰伏的过程。为此，他希望大学生在这个过程中，不要心急，而要冷静思考，找到问题的源头。
个人生活
家庭生活
中村修二的父亲是日本爱媛县濑户村电力公司的员工，母亲是一个普通的家庭妇女，家里有四兄妹。
感情生活
中村修二在日本德岛大学读研期间结婚生子，妻子在德岛大学附属幼儿园上班，两人育有一个女儿。
社会任职
获得荣誉
参考资料：
人物评价
中村修二博士开创的固态照明技术革命，对信息通信、能源环境、医疗健康等领域产生深远影响。通过推动节能LED灯在发展中国家普及，他更作出了巨大的人道主义贡献。（时任加州大学圣塔芭芭拉分校校长杨祖佑 评）
中村修二在固态照明的研究持续影响着照明与计算技术领域，当今享用的LED灯泡、显示器、移动设备及大尺寸平板显示屏皆源于他的开创性工作。（时任加州大学圣塔芭芭拉分校工学院院长罗德·阿尔弗内斯 评）
中村修二坚持不懈地研究与探索，使得白色LED的商业化生产成为可能，让人类可以用到更为环保的白色光源，降低了全球范围的照明成本，为全人类的福祉做出了重大贡献。（西安电子科技大学新闻网 评）
相关事件
发明补偿
1999年底，中村修二从日亚化工离职，前往加利福尼亚大学圣芭芭拉分校担任教授。由于拒绝签署“保证3年内不再从事蓝光二极管的基础技术研究”的保证书，在日亚化工工作了20年的中村修二没能拿到离职补偿。2004年1月30日，中村修二把日亚化工告上了法庭，要求公司支付蓝光LED的发明补偿金200亿日元（大约11亿人民币）。日亚化工随即向东京高等法院提起上诉，一年之后，双方取得庭外和解，补偿金的数额最终被定为8.4亿日元（约4800万人民币）。
加入美国籍
中村修二在获得了补偿之后，成为了日本的争议人物，于是选择远走美国。“在来到美国之后，因涉嫌泄露企业秘密而遭到以前就职的日本企业起诉。我非常生气，因此在日本以原告身份起诉了公司。虽然有人说‘一旦官司缠身，就无法获得诺贝尔奖了’，但我一直在做自己想做的事情。像这样荣获诺贝尔奖，我感到非常高兴。”中村修二在获奖后对媒体表示。对于为什么要加入美国籍一事，中村修二解释：“要从事这方面研究，没有美国国籍就无法获得军方的预算，同时无法从事与军方相关的研究。因此我取得了市民权。”这个解释相当于否认了关于他以加入美国籍来抗议或报复日本的猜想。